.pd-section{margin:2.5em 0;}
.pd-hero{display:flex;flex-wrap:wrap;align-items:center;gap:32px;}
.pd-hero-text{flex:1 1 320px;}
.pd-hero-img{flex:1 1 280px;text-align:center;}
.pd-hero-img img{width:100%;max-width:520px;border-radius:8px;box-shadow:0 6px 24px rgba(0,0,0,.08);}
.pd-tagline{color:#0B6BBF;font-weight:600;font-size:16px;margin-bottom:6px;}
.pd-chips{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:10px;margin-top:16px;}
.pd-chip{background:#EAF3FB;color:#0B6BBF;padding:6px 14px;border-radius:20px;font-size:13px;}
.pd-cards{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:16px;margin-top:14px;}
.pd-card{flex:1 1 200px;padding:18px;background:#F7FAFC;border-left:4px solid #0B6BBF;border-radius:0 8px 8px 0;}
.pd-card strong{display:block;margin-bottom:4px;}
.pd-card small{color:#5a6a7a;}
.pd-two-col{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:24px;align-items:flex-start;margin-top:14px;}
.pd-col{flex:1 1 260px;}
.pd-col img{width:100%;border-radius:8px;background:#f7fafc;}
.pd-grid{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:16px;}
.pd-grid .pd-item{flex:1 1 200px;}
.pd-grid .pd-item img{width:100%;border-radius:6px;}
.pd-table{width:80%;border-collapse:collapse;margin:1em auto 0;}
.pd-table th,.pd-table td{padding:10px 12px;border:1px solid #e1e6ec;text-align:left;}
.pd-table th{background:#f1f5fa;font-weight:600;}
.pd-cta{margin-top:2em;}
.pd-cta a{display:inline-block;padding:12px 28px;background:#0B6BBF;color:#fff;text-decoration:none;border-radius:4px;}
.pd-back{margin-top:1em;font-size:14px;}
Система облучения на вакуумном источнике электронов применяется для испытаний на радиационную стойкость и характеризации чипов, печатных плат, электронных систем, батарей и других материалов, устройств и оборудования. С непрерывно регулируемыми мощностями дозы она обеспечивает качественную и количественную верификацию жёстких космических радиационных условий в вакууме.
Самостабилизация
Регистрация истории данных
Модернизация и расширение
Основные применения
Основной блок и ключевые функции
- Оснащена необходимой подсистемой диагностики и мониторинга пучка, включая измерение тока, размера пятна и диагностику параметров пучка
- Система управления на базе EPICS с местным/дистанционным управлением, интерфейсами защитных блокировок и регистрацией параметров и истории измерений
- Модернизация и расширение по выходному току пучка
- Энергия электронного пучка 40 кэВ–60 кэВ, ток 1 мкА–100 мкА
- Диаметр поля облучения регулируется от 100 до 1000 мм, равномерность ≥ 90 %
Высоковольтный источник питания облучателя
- Высоковольтный источник питания соединяется с основным блоком пространственными жгутами высоковольтных кабелей
- Высокоинтегрированное исполнение из 4 модулей питания: высоковольтный источник, источник тока накала, источник анода и источник фокусировки
- Полная защита: от перенапряжения, сверхтока, перегрева и обнаружение разрядов — для длительной непрерывной работы
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Энергия пучка | 40 кэВ–60 кэВ, регулируемая, шаг ≤ 2 кэВ |
| Ток пучка | постоянный ток, регулируемый в пределах 1 мкА–100 мкА |
| Поле облучения | Ø 100 мм–1000 мм, регулируемое |
| Равномерность облучения | ≥ 90 % |
| Вакуум | лучше 2×10⁻⁴ Па |
| Разрешение по размеру пятна | лучше 0,1 мм |
| Разрешение измерения тока | лучше 10 нА |
| Система управления | на базе EPICS, местное/дистанционное управление, регистрация истории |
| Функции безопасности | полная защита: от перенапряжения, сверхтока, перегрева, обнаружение разрядов |