Системы характеризации при облучении — ключевые испытательные платформы для точной оценки общих характеристик чипов, печатных плат и оборудования в условиях облучения. Точно моделируя космическую радиационную среду, система обеспечивает характеризацию критических компонентов в режиме in situ онлайн. Основные функции включают: точное измерение эволюции ключевых электрических параметров устройств и оборудования в зависимости от плотности потока и времени в контролируемом вакууме; одновременный мониторинг радиационных повреждений материалов, таких как образование дефектов кристаллической решётки и деградация электрических свойств; а также опциональную интеграцию модуля оценки теплового управления для анализа нагрева при облучении и связанных термоэлектрических эффектов.
Для испытаний на радиационную стойкость чипов, печатных плат, электронных систем и батарей мы предлагаем два проверенных интегрированных решения систем облучения.
Серия продукции
Система испытаний и характеризации при облучении
Широкий диапазон энергий 10 кэВ–200 кэВ, большая камера для образцов, интегрированная диагностика пучка и высоковольтный источник питания, местное/дистанционное управление.
Система облучения на вакуумном источнике электронов
Средний диапазон энергий 40 кэВ–60 кэВ, поле облучения от 100 до 1000 мм, равномерность ≥ 90 %, идеально для серийного равномерного облучения.