Система испытаний и характеризации при облучении

.pd-section{margin:2.5em 0;}
.pd-hero{display:flex;flex-wrap:wrap;align-items:center;gap:32px;}
.pd-hero-text{flex:1 1 320px;}
.pd-hero-img{flex:1 1 280px;text-align:center;}
.pd-hero-img img{width:100%;max-width:520px;border-radius:8px;box-shadow:0 6px 24px rgba(0,0,0,.08);}
.pd-tagline{color:#0B6BBF;font-weight:600;font-size:16px;margin-bottom:6px;}
.pd-chips{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:10px;margin-top:16px;}
.pd-chip{background:#EAF3FB;color:#0B6BBF;padding:6px 14px;border-radius:20px;font-size:13px;}
.pd-cards{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:16px;margin-top:14px;}
.pd-card{flex:1 1 200px;padding:18px;background:#F7FAFC;border-left:4px solid #0B6BBF;border-radius:0 8px 8px 0;}
.pd-card strong{display:block;margin-bottom:4px;}
.pd-card small{color:#5a6a7a;}
.pd-two-col{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:24px;align-items:flex-start;margin-top:14px;}
.pd-col{flex:1 1 260px;}
.pd-col img{width:100%;border-radius:8px;background:#f7fafc;}
.pd-grid{display:flex;flex-wrap:wrap;gap:16px;}
.pd-grid .pd-item{flex:1 1 200px;}
.pd-grid .pd-item img{width:100%;border-radius:6px;}
.pd-table{width:80%;border-collapse:collapse;margin:1em auto 0;}
.pd-table th,.pd-table td{padding:10px 12px;border:1px solid #e1e6ec;text-align:left;}
.pd-table th{background:#f1f5fa;font-weight:600;}
.pd-cta{margin-top:2em;}
.pd-cta a{display:inline-block;padding:12px 28px;background:#0B6BBF;color:#fff;text-decoration:none;border-radius:4px;}
.pd-back{margin-top:1em;font-size:14px;}

Местное/дистанционное управление · Интегрированная конструкция · 10 кэВ–200 кэВ

Система испытаний и характеризации при облучении предназначена для испытаний на радиационную стойкость и характеризации чипов, печатных плат, электронных систем, батарей и других материалов, устройств и оборудования. Она выполнена в вертикальном интегрированном исполнении из трёх основных блоков: основной блок характеризации, вспомогательный высоковольтный источник питания и вспомогательный шкаф управления. С непрерывно регулируемыми мощностями дозы система точно моделирует жёсткие космические радиационные условия в контролируемом вакууме, обеспечивая как качественные, так и количественные верификационные испытания.

Регистрация истории данных
Модернизация и расширение
Высокая производительность
Самостабилизация

Система испытаний и характеризации при облучении (схема)

Принципиальная схема

Основные применения

Испытания на радиационную стойкостьОценка эффектов облучения для чипов, печатных плат, электронных систем и батарей
Моделирование космической радиационной средыТочное моделирование жёстких космических радиационных условий в контролируемом вакууме
Мониторинг радиационных поврежденийОнлайн-наблюдение дефектов решётки, электрической деградации и связанных эффектов
Оценка термоэлектрической связиСвязанный анализ нагрева при облучении и теплового управления

Основной блок и ключевые функции

Основной блок системы характеризации (схема)

Принципиальная схема
  • Точное измерение эволюции ключевых электрических параметров устройств/оборудования в зависимости от плотности потока и времени в контролируемой вакуумной среде облучения
  • Одновременный мониторинг эффектов радиационных повреждений: образования дефектов решётки и деградации электрических свойств
  • Опциональный модуль оценки теплового управления для анализа нагрева при облучении и термоэлектрических связанных эффектов
  • Энергия электронного пучка 10 кэВ–200 кэВ, ток 10 нА–10 мкА, размер пятна 1–50 мм
  • Опциональная система сканирования для равномерного сканирования 1000 мм×1000 мм

Камера для образцов и интерфейсы

Камера для образцов предлагает обильные интерфейсы с зарезервированными местами крепления для двухкоординатного подвижного предметного столика и соответствующих электрических вводов. Размеры камеры настраиваются: цилиндрическая камера (≥ Ø600 мм × H600 мм) или кубическая камера (≥ 600×600×600 мм). Фланцы нескольких типоразмеров — CF100/CF150/CF200/CF250 — принимают образцы, цилиндры Фарадея, люминесцентные экраны, турбомолекулярные насосы и другое, полностью покрывая разнообразные испытательные задачи.

Цилиндрическая камера для образцов
Фланцевые интерфейсы камеры для образцов

Подсистема диагностики и мониторинга пучка

Схема подсистемы диагностики пучка

Система использует зонд с цилиндром Фарадея для измерения тока пучка и зонд с люминесцентным экраном для измерения размера пятна в сочетании с CCD-съёмкой изображений для высокоточного мониторинга пучка.

  • Разрешение измерения размера пятна
  • Диапазон тока 1 мА–10 нА, разрешение лучше 10 нА
  • Апертура цилиндра и диаметр/толщина экрана настраиваются по запросу

Высоковольтный источник питания облучателя

Высоковольтный источник питания облучателя
  • Высоковольтный источник питания соединяется с основным блоком пространственными жгутами высоковольтных кабелей
  • Высокоинтегрированное исполнение из 4 модулей питания: высоковольтный источник, источник тока накала, источник анода и источник фокусировки
  • Полная защита: от перенапряжения, сверхтока, перегрева и обнаружение разрядов — для длительной непрерывной работы

Технические характеристики

Параметр Значение
Энергия пучка 10 кэВ–200 кэВ, регулируемая, шаг ≤ 2 кэВ
Ток пучка 10 нА–10 мкА, регулируемый, точность лучше 10 %
Поле облучения Ø 1 см–5 см, регулируемое
Объём цилиндрической камеры ≥ Ø600 мм × H600 мм
Вакуум в камере лучше 2×10⁻⁴ Па
Резервные порты камеры более 4 стандартных СВВ-фланцев CF35/CF100/CF150/CF200
Система измерения тока разрешение лучше 10 нА
Разрешение по размеру пятна лучше 0,1 мм
Точность положения пятна лучше 0,05 мм
Диапазон сканирования 1000 мм×1000 мм
Вакуумная система турбомолекулярный + сухой насос
ПО управления на базе EPICS, местное/дистанционное управление, регистрация параметров и истории
Расширяемость универсальный интерфейс AEI, совместим с различными катодными узлами

← Назад к системам облучения

Прокрутить вверх