40 keV–60 keV · 均匀辐照 · 批量工艺适用
真空电子源辐照系统用于芯片、电路板、电子学系统、电池等材料、器件、设备的耐辐照性能测试和表征，剂量率连续可调，可在真空环境中实现严苛空间辐射环境的定性、定量验证测试。
高性能
自稳定
历史数据储存
可升级扩展
自稳定
历史数据储存
可升级扩展
主要应用
材料与器件辐照芯片、电路板、电子学系统及电池耐辐照测试
空间环境模拟剂量率连续可调，满足空间辐射环境验证
定性/定量表征实现严苛空间环境的定性、定量验证
批量工艺100 mm–1000 mm 宽照射面，辐照均匀度 ≥90%
主体装置与核心功能
- 配置必要的束流诊断和监测子系统，包含束流流强测量系统、束斑尺寸测量系统及束流参数诊断功能
- 提供基于 EPICS 的控制系统，具备整机本控/远控功能、安全联锁接口、参数和测量结果历史数据存储
- 系统在出束流强方面具备可升级扩展能力
- 提供电子束能量范围 40 keV–60 keV，束流流强范围 1 µA–100 µA
- 照射面直径 100 mm–1000 mm 可调，辐照均匀度 ≥90%
辐照源高压电源
- 高压电源与主体装置通过空间高压电缆束连接
- 高度集成式设计，集成高压电源、灯丝电流源、阳极电源、聚焦电源共 4 个供电模块
- 完整的保护功能，包括过压、过流、过热、放电检测等，确保电源长期连续工作
主要性能参数
| 参数 | 指标 |
|---|---|
| 束流能量 | 40 keV–60 keV 范围内可调，调节步长 ≤2 keV |
| 束流流强 | 直流束，1 µA–100 µA 范围内可调 |
| 照射面 | 直径 100 mm–1000 mm 可调 |
| 辐照均匀度 | ≥90% |
| 真空度 | 好于 2×10⁻⁴ Pa |
| 束斑尺寸测量分辨率 | 优于 0.1 mm |
| 流强测量分辨率 | 好于 10 nA |
| 控制系统 | 基于 EPICS 通讯协议，支持本控/远控、历史数据存储 |
| 安全功能 | 过压、过流、过热、放电检测等完整保护 |