Les engins spatiaux en orbite sont bombardés en permanence par des électrons, protons et ions lourds de haute énergie. Les effets des radiations peuvent dégrader les performances des composants semiconducteurs, voire entraîner leur défaillance. Les essais d’irradiation au sol sont donc une étape incontournable de la vérification de la fiabilité de l’électronique spatiale — et les systèmes d’irradiation par faisceau d’électrons en sont l’équipement clé.
Caractéristiques de l’environnement radiatif spatial
Les flux d’électrons de haute énergie des ceintures de radiation terrestres varient dynamiquement selon l’altitude orbitale et l’activité solaire. Pour les composants semiconducteurs, les effets de dose totale ionisante (TID) provoquent des décalages de seuil et une augmentation des courants de fuite, tandis que les dommages de déplacement réduisent la durée de vie des porteurs, affectant notamment les composants bipolaires et optoélectroniques.
Avantages des essais d’irradiation par faisceau d’électrons
- Débit de dose continûment réglable : simule les niveaux de débit de dose de différents environnements orbitaux et prend en charge les essais accélérés ;
- Mesure in situ en ligne : les paramètres électriques des composants sont surveillés pendant l’irradiation en fonction de la fluence et du temps, évitant les interférences de recuit ;
- Compatibilité avec le vide : l’irradiation et la mesure en chambre à vide reproduisent fidèlement les conditions réelles en orbite.
Notre solution
Nos systèmes de caractérisation sous irradiation réalisent des essais d’irradiation de puces, cartes électroniques et équipements complets sous vide contrôlé, en intégrant la mesure in situ des paramètres électriques, la surveillance de l’endommagement radiatif et des modules d’évaluation de la gestion thermique, avec des débits de dose continûment réglables — répondant aux exigences de vérification strictes, du niveau du composant au niveau système.
Consultez notre page Produits & Services pour les spécifications détaillées.