40 keV–60 keV・均一照射・バッチ工程対応
真空電子源照射システムは、チップ・基板・電子システム・電池などの材料・デバイス・機器の耐照射性能試験・評価に使用されます。線量率は連続調整可能で、真空環境中で過酷な宇宙放射線環境の定性・定量検証試験を実現します。
高性能
自己安定化
履歴データ保存
アップグレード・拡張対応
自己安定化
履歴データ保存
アップグレード・拡張対応
主な応用分野
材料・デバイス照射チップ・基板・電子システム・電池の耐照射試験
宇宙環境模擬線量率連続調整可能、宇宙放射線環境検証に対応
定性・定量評価過酷な宇宙環境の定性・定量検証を実現
バッチ工程100 mm–1000 mmの広い照射面、照射均一度≥90%
主体装置とコア機能
- ビーム電流測定・ビーム径測定・ビームパラメータ診断機能を含む、必須のビーム診断・監視サブシステムを搭載
- EPICSベースの制御システム：本体のローカル/リモート制御、安全インターロック接口、パラメータ・測定結果の履歴データ保存を備える
- ビーム電流出力においてアップグレード・拡張が可能
- 電子ビームエネルギー40 keV–60 keV、ビーム電流1 µA–100 µA
- 照射面直径100 mm–1000 mm調整可、照射均一度≥90%
照射源高電圧電源
- 高電圧電源と本体は空間高電圧ケーブル束で接続
- 高集積設計：高電圧電源・フィラメント電流源・陽極電源・集束電源の4電源モジュールを統合
- 過電圧・過電流・過熱・放電検出等の完全な保護機能により長期連続運転を確保
主要性能パラメータ
| パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| ビームエネルギー | 40 keV–60 keV 範囲内で調整可、ステップ ≤2 keV |
| ビーム電流 | DCビーム、1 µA–100 µA範囲内で調整可 |
| 照射面 | 直径 100 mm–1000 mm 調整可 |
| 照射均一度 | ≥90% |
| 真空度 | 2×10⁻⁴ Pa 未満 |
| ビーム径測定分解能 | 0.1 mm 未満 |
| 電流測定分解能 | 10 nA 未満 |
| 制御システム | EPICSプロトコル準拠、ローカル/リモート制御、履歴データ保存 |
| 安全機能 | 過電圧・過電流・過熱・放電検出等の完全保護 |