本控 / 远控 · 集成式设计 · 10 keV–200 keV
本系统面向芯片、电路板、电子学系统、电池等材料、器件、设备的耐辐照性能测试与表征需求，采用直立结构的集成式设计，由表征系统主体装置、附属高压电源和附属测控机柜三大部件组成。系统剂量率连续可调，可在可控真空环境中精确模拟严苛空间辐射环境，实现定性、定量的验证测试。
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可升级扩展
高性能
自稳定
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主要应用
耐辐照性能测试芯片、电路板、电子学系统及电池的辐照效应评估
空间辐射环境模拟在可控真空环境中精确模拟严苛空间辐射条件
辐射损伤效应监测晶格缺陷、电学性能退化等效应在线观测
热电耦合评估辐照生热与热管理耦合分析
主体装置与核心功能
- 在可控真空环境中，精确测量辐照环境下器件/设备核心电学参数随注量率与时间的演化规律
- 同步监测材料辐射损伤效应，如晶格缺陷产生、电学性能退化等
- 可集成热管理评估模块，分析辐照生热与热电耦合效应
- 提供电子束能量范围 10 keV–200 keV，束流流强范围 10 nA–10 µA，束斑尺寸 1 mm–50 mm
- 可带扫描系统，实现 1000 mm×1000 mm 范围均匀扫描
样品室与接口
样品室提供丰富的接口，预留二维移动样品台安装位及相应信号馈通。腔体大小可定制化，可选圆柱形腔体（≥内直径 600 mm×高 600 mm）或立方体腔体（≥长 600 mm×宽 600 mm×高 600 mm）。CF100/CF150/CF200/CF250 等多规格法兰接口，可用于样品、法拉第筒、荧光靶、分子泵等安装，全方位满足测试需求。
束流诊断和监测子系统
系统配置法拉第筒探针实现束流流强测量，荧光靶探针实现束斑尺寸测量，配合 CCD 图像采集，实现束流状态的高精度监测。
- 束斑尺寸测量分辨率优
- 流强测量范围 1 mA–10 nA，分辨率好于 10 nA
- 杯口大小、靶片直径/厚度可按需定制
辐照源高压电源
- 高压电源与主体装置通过空间高压电缆束连接
- 高度集成式设计，集成高压电源、灯丝电流源、阳极电源、聚焦电源共 4 个供电模块
- 完整的保护功能，包括过压、过流、过热、放电检测等，确保电源长期连续工作
主要性能参数
| 参数 | 指标 |
|---|---|
| 束流能量 | 10 keV–200 keV 范围内可调，调节步长 ≤2 keV |
| 束流流强 | 10 nA–10 µA 范围内可调，调节精度好于 10% |
| 照射面 | 直径 1 cm–5 cm 可调 |
| 圆柱型样品室内部空间 | ≥直径 600 mm×高 600 mm |
| 样品室真空度 | 好于 2×10⁻⁴ Pa |
| 样品室预留接口 | 多于 4 个 CF35/CF100/CF150/CF200 标准超高真空法兰接口 |
| 流强测量系统 | 测量分辨率好于 10 nA |
| 束斑尺寸测量分辨率 | 优于 0.1 mm |
| 束斑位置测量精度 | 优于 0.05 mm |
| 扫描范围 | 1000 mm×1000 mm |
| 真空获得系统 | 配置涡轮分子泵和干泵 |
| 测控软件 | 基于 EPICS 通讯协议，支持本控/远控、参数与历史数据存储 |
| 可扩展能力 | 国际通用 AEI 接口，可适用多种材料阴极组件 |